TMBT3906,LM, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TMBT3906,LM
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba TMBT3906,LM, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
51
+
Бонус: 1.02 !
Бонусная программа
Итого: 51
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор PNP 50V 150mA 250MHz 320mW Surface Mount SOT-23
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTC74AC74 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 10mA, 1V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current150mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8005509698
pd - power dissipation320mW
power - max320mW
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageSOT-23
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:55:17
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль