TBC857B,LM, Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TBC857B,LM
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba TBC857B,LM, Bipolar Transistors - BJT BJT PNP ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
48
+
Бонус: 0.96 !
Бонусная программа
Итого: 48
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BJT PNP -0.15A -50V
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер220 mV
непрерывный коллекторный ток150 mA
партномер8006212001
pd - рассеивание мощности320 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)80 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияTBC8X7
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:54:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль