RN2701,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN2701,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2701,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTCR2LN ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)10 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
партномер8005268561
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max200mW
размер фабричной упаковки3000
resistor - base (r1)4.7kOhms
resistor - emitter base (r2)4.7kOhms
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageUSV
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
transistor type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
упаковка / блокUSV-5
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:53:22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль