RN2510(TE85L,F), Bipolar Transistors - Pre-Biased SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=200MHz

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN2510(TE85L,F)
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2510(TE85L,F), Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.014
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=200MHz
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.014
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTB67S279 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 1mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0095
канальный режимEnhancement
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияDual
максимальная рабочая частота200 MHz
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-74A, SOT-753
партномер8006247308
pd - рассеивание мощности300 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max300mW
размер фабричной упаковки3000
resistor - base (r1)4.7kOhms
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageSMV
типичное входное сопротивление4.7 kOhms
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
transistor type2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSMV-5
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:53:26
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль