Name: RN2501(TE85L,F), Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
Brand: Toshiba
SKU: RN2501(TE85L,F)

RN2501(TE85L,F), Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2501(TE85L,F), Bipolar Transistors - ...

Подробное описание

Бренд: Toshiba

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba

Все характеристики

98 ₽

– +

Бонус: 1.96 !

Бонусная программа

Итого: 98 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
base-emitter resistor	4.7kΩ
диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
конфигурация	Dual
максимальная рабочая частота	200 MHz
максимальная рабочая температура	+ 150 C
maximum collector emitter voltage	50 V
maximum dc collector current	100 mA
maximum emitter base voltage	10 V
maximum operating temperature	+150 °C
минимальная рабочая температура	55 C
minimum dc current gain	30
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	10 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	100 mA
number of elements per chip	2
package type	SSOP
партномер	8006247020
pd - рассеивание мощности	300 mW
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
pin count	5
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
размер фабричной упаковки	3000
серия	RN2501
типичное входное сопротивление	4.7 kOhms
типичный коэффициент деления резистора	1
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	Toshiba
transistor configuration	Common Emitter
transistor type	PNP
typical input resistor	4.7 kΩ
typical resistor ratio	1
упаковка / блок	SMV-5
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	23:53:31

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Toshiba F)Транзисторы биполярные (BJTs)RN2501(TE85L RN2501