RN2315TE85LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN2315TE85LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2315TE85LF, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
92
+
Бонус: 1.84 !
Бонусная программа
Итого: 92
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 100 мВт Поверхностный монтаж USM
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberCRF02 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
партномер8018630955
power - max100mW
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageUSM
transistor typePNP - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:53:06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль