RN2130MFV,L3F, Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN2130MFV,L3F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2130MFV,L3F, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0015
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
60
+
Бонус: 1.2 !
Бонусная программа
Итого: 60
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0015
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
количество каналов1 Channel
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
напряжение эмиттер-база (vebo)10 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
партномер8005268543
pd - рассеивание мощности150 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки8000
серияRN2130
типичное входное сопротивление100 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
упаковка / блокSOT-723-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:56:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль