RN2115,LXHF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN2115,LXHF(CT
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2115,LXHF(CT, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-BiasedRN Automotive Bias Resistor Built-in TransistorsToshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
continuous collector current:100 mA
dc collector/base gain hfe min:50 at-10 mA, -5 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Toshiba
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SSM-3
партномер8019981152
part # aliases:RN2115, LXHF(CB
pd - power dissipation:100 mW
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualification:AEC-Q200
subcategory:Transistors
transistor polarity:PNP
typical input resistor:2.2 kOhms
typical resistor ratio:0.22
Время загрузки23:52:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль