RN2105MFV,L3F(CT, 80@10mA,5V 300mV@5mA,500uA One PNP - Pre-Biased 250MHz 150mW 100mA 50V 500nA SOT-723 Digital Transistors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN2105MFV,L3F(CT
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2105MFV,L3F(CT, 80@10mA,5V 300mV@5mA,500uA ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
27
+
Бонус: 0.54 !
Бонусная программа
Итого: 27
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт Поверхностный монтаж VESM
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTPH5200 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-723
партномер8017663033
power - max150mW
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)47 kOhms
supplier device packageVESM
transistor typePNP - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:52:39
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль