RN2105,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN2105,LF(CT
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2105,LF(CT, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
60
+
Бонус: 1.2 !
Бонусная программа
Итого: 60
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
партномер8005268537
pd - рассеивание мощности100 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки3000
серияRN2105
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
упаковка / блокSSM-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:52:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль