RN1908,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1908,LF(CT
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1908,LF(CT, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0068
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
81
+
Бонус: 1.62 !
Бонусная программа
Итого: 81
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0068
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):80
конфигурация:Dual
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:100 mA
минимальная рабочая температура:- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):7 V
напряжение коллектор-база (vcbo):50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:50 V
партномер8004639048
pd - рассеивание мощности:200 mW
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
производитель:Toshiba
размер фабричной упаковки:3000
серия:RN1908
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка:Toshiba
упаковка / блок:US-6
вид монтажа:SMD/SMT
Время загрузки23:52:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль