Name: RN1906FE,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
Brand: Toshiba
SKU: RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1906FE,LF(CT, Bipolar Transistors - ...

Подробное описание

Бренд: Toshiba

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.003
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba

Все характеристики

72 ₽

– +

Бонус: 1.44 !

Бонусная программа

Итого: 72 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.003
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
automotive	No
configuration	Dual
eccn (us)	EAR99
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	0.3@0.25mA@5mA
maximum collector-emitter voltage (v)	50
maximum continuous dc collector current (ma)	100
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	100
минимальная рабочая температура	55 C
minimum dc current gain	80@10mA@5V
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
packaging	Tape and Reel
партномер	8005268527
part status	Active
pcb changed	6
pd - рассеивание мощности	100 mW
pin count	6
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
ppap	No
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	250 MHz
размер фабричной упаковки	4000
серия	RN1906
standard package name	ES
supplier package	ES
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Toshiba
type	NPN
typical current gain bandwidth (mhz)	250
typical input resistor (kohm)	04.07.2024
typical resistor ratio	0.1
упаковка / блок	SOT-563-6
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	23:52:25

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Toshiba Транзисторы биполярные (BJTs)LF(CT RN1906FE RN1906