RN1709,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1709,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1709,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70
конфигурация:Dual
квалификация:AEC-Q101
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:100 mA
минимальная рабочая температура:- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):15 V
напряжение коллектор-база (vcbo):50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:50 V
партномер8004639044
pd - рассеивание мощности:200 mW
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
производитель:Toshiba
размер фабричной упаковки:3000
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка:Toshiba
упаковка / блок:USV-5
вид монтажа:SMD/SMT
Время загрузки23:52:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль