RN1708,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1708,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1708,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
партномер8004639043
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
упаковка / блокUSV-5
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:52:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль