RN1705JE(TE85L,F), Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1705JE(TE85L,F)
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1705JE(TE85L,F), Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
канальный режимEnhancement
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияDual
максимальная рабочая частота250 MHz
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
партномер8005268516
pd - рассеивание мощности100 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки4000
серияRN1705
типичное входное сопротивление2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.0468
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокESV-5
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:52:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль