RN1427(TE85L,F), SOT346 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1427(TE85L,F)
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1427(TE85L,F), SOT346 Bipolar Transistors ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
51
+
Бонус: 1.02 !
Бонусная программа
Итого: 51
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Single digital transistors from Toshiba with integrated biasing resistors allowing direct drive from digital sources.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base-emitter resistor2.2 kO, 10 kO
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current800 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation200 mW
minimum dc current gain90
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeTO-236MOD(SC-59)
партномер8008570090
pin count3
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typical input resistor2.2 kΩ
typical resistor ratio1
Время загрузки23:51:46
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль