RN1417,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1417,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1417,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
45
+
Бонус: 0.9 !
Бонусная программа
Итого: 45
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-BiasedВстроенные транзисторы с резистором смещения (BRT)Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Toshiba предлагают широкий диапазон вариантов полярности. Транзисторы резистора смещения доступны с полярностью NPN, PNP, NPN PNP, PNP NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы резистора смещения предлагают 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с вариантами одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутренних соединений. .
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:30
emitter- base voltage vebo:15 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Toshiba
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SC-59-3
партномер8005268495
pd - power dissipation:200 mW
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualification:AEC-Q101
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки23:51:22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль