Name: RN1412TE85LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
Brand: Toshiba
SKU: RN1412TE85LF

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1412TE85LF, Bipolar Transistors - ...

Подробное описание

Бренд: Toshiba

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba

Все характеристики

89 ₽

– +

Бонус: 1.78 !

Бонусная программа

Итого: 89 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
base product number	HDWJ110 ->
current - collector cutoff (max)	100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	120 @ 1mA, 5V
eccn	EAR99
frequency - transition	250MHz
htsus	8541.21.0075
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
конфигурация	Single
максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	100 mA
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер	8006252489
pd - рассеивание мощности	200 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	200mW
размер фабричной упаковки	3000
resistor - base (r1)	22 kOhms
rohs status	RoHS Compliant
серия	RN1412
supplier device package	S-Mini
типичное входное сопротивление	22 kOhms
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	Toshiba
transistor type	NPN - Pre-Biased
упаковка / блок	SOT-346-3
vce saturation (max) @ ib, ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
вид монтажа	SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)	50V
Время загрузки	23:51:31

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Toshiba Транзисторы биполярные (BJTs)RN1412TE85LF RN1412