RN1106(TE85L,F), RN1106(TE85L,F) NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin ESM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1106(TE85L,F)
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1106(TE85L,F), RN1106(TE85L,F) NPN Digital ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
35
+
Бонус: 0.7 !
Бонусная программа
Итого: 35
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsBuilt-in bias resistors, use of fewer parts enables device size reduction and space-saving assembly Wide resistance-value range makes product suitable for diverse applications
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current100 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
minimum dc current gain80
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeESM
партномер8009755093
pin count3
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typical input resistor4.7 kΩ
typical resistor ratio0.1
Время загрузки23:51:55
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль