RN1102MFV,L3F, #ИМЯ?

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1102MFV,L3F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1102MFV,L3F, #ИМЯ?
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.32
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
40
+
Бонус: 0.8 !
Бонусная программа
Итого: 40
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.32
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
collector- emitter voltage vceo max:50 V
continuous collector current:100 mA
dc collector/base gain hfe min:30
emitter- base voltage vebo:10 V
factory pack quantity: factory pack quantity:8000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Toshiba
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-723
партномер8017686076
pd - power dissipation:150 mW
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualification:AEC-Q101
series:RN1102
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
typical input resistor:10 kOhms
typical resistor ratio:1
Время загрузки23:56:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль