RN1102MFV,L3F, 50@10mA,5V 1 NPN Pre Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT723 Digital Transistors ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:RN1102MFV,L3F
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Дата загрузки
12.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
Toshiba
Бренд
Toshiba
Основные
collector- emitter voltage vceo max:
50 V
continuous collector current:
100 mA
dc collector/base gain hfe min:
30
emitter- base voltage vebo:
10 V
factory pack quantity: factory pack quantity:
8000
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:
Toshiba
mounting style:
SMD/SMT
package / case:
SOT-723
партномер
8016434792
pd - power dissipation:
150 mW
product category:
Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:
BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualification:
AEC-Q101
series:
RN1102
subcategory:
Transistors
transistor polarity:
NPN
typical input resistor:
10 kOhms
typical resistor ratio:
1
Время загрузки
23:56:40
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26