RN1101MFV,L3F(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1101MFV,L3F(CT
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1101MFV,L3F(CT, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
51
+
Бонус: 1.02 !
Бонусная программа
Итого: 51
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 150 мВт Поверхностный монтаж VESM
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTPH2R003 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-723
партномер8018699609
power - max150mW
resistor - base (r1)4.7 kOhms
resistor - emitter base (r2)4.7 kOhms
supplier device packageVESM
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:56:44
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль