PDTC114YQB-QZ, PDTC114YQB-QZ 3 NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V DFN1110D-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PDTC114YQB-QZ
Электронные компоненты Транзисторы Транзисторы цифровые (BRTs) Nexperia PDTC114YQB-QZ, PDTC114YQB-QZ 3 NPN Digital ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThe Nexperia NPN resistor equipped transistor (RET) family in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015) leadless surface mounted device (SMD) having plastic package with side-wettable flanks.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
continuous collector current:100 mA
dc collector/base gain hfe min:100 at 5 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:5000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Nexperia
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip3
package/case:DFN1110D-3
package typeDFN1110D-3
партномер8015494765
part # aliases:9,34663E+11
pd - power dissipation:420 mW
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualification:AEC-Q101
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
typical input resistor:10 kOhms, 47 kOhms
typical resistor ratio:04.07.2024
Время загрузки21:02:38
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль