PDTA114YQB-QZ, PDTA114YQB-QZ 3 PNP Digital Transistor, -100 mA, -50 V DFN1110D-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PDTA114YQB-QZ
Электронные компоненты Транзисторы Транзисторы цифровые (BRTs) Nexperia PDTA114YQB-QZ, PDTA114YQB-QZ 3 PNP Digital ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThe Nexperia PNP resistor equipped transistor (RET) family in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015) leadless surface mounted device (SMD) having plastic package with side-wettable flanks.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- emitter voltage vceo max:-50 V
configuration:Single
continuous collector current:-100 mA
dc collector/base gain hfe min:100 at-5 mA, -5 V
emitter- base voltage vebo:-6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:5000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Nexperia
maximum collector emitter voltage-50 V
maximum dc collector current100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip3
package/case:DFN1110D-3
package typeDFN1110D-3
партномер8016033821
part # aliases:9,34663E+11
pd - power dissipation:420 mW
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
subcategory:Transistors
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
typical input resistor:10 kOhms, 47 kOhms
typical resistor ratio:04.07.2024
Время загрузки21:04:52
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль