PDTA114ET,215, Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA114ET/SOT23/TO-236AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PDTA114ET,215
Электронные компоненты Транзисторы Транзисторы цифровые (BRTs) Nexperia PDTA114ET,215, Bipolar Transistors - ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 мВт Поверхностный монтаж TO-236AB
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPDTA114 ->
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
continuous collector current:100 mA
current - collector cutoff (max)1ВµA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 5mA, 5V
eccnEAR99
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
кол-во в упаковке3000
manufacturer:Nexperia
maximum collector emitter voltage-50 V
maximum dc collector current-100 mA
maximum emitter base voltage10 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
minimum dc current gain30
minimum operating temperature-65 °C
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23(TO-236AB)
партномер8025442687
part # aliases:9,34031E+11
peak dc collector current:100 mA
pin count3
power - max250mW
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualification:AEC-Q101
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)10 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-236AB
transistor configurationSingle
transistor polarity:PNP
transistor typePNP - Pre-Biased
typical input resistor10 kΩ
typical input resistor:10 kOhms
typical resistor ratio1
typical resistor ratio:1
vce saturation (max) @ ib, ic150mV @ 500ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки21:05:29
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль