HN4C51J(TE85L.F)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN4C51J(TE85L.F)
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.014
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементBipolar Transistors - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.014
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
collector- base voltage vcbo120 V
collector-emitter saturation voltage0.3 V
collector- emitter voltage vceo max120 V
configurationDual
continuous collector current100 mA
dc collector/base gain hfe min200
dc current gain hfe max700
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerToshiba
maximum dc collector current100 mA
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-25-5
packagingCut Tape
партномер8002690348
pd - power dissipation300 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesHN4C51
transistor polarityNPN
unit weight0.000494 oz
Время загрузки23:45:57
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль