HN4B01JE(TE85L,F)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN4B01JE(TE85L,F)
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМатрица биполярных (BJT) транзисторов NPN, PNP (эмиттерная пара) 50 В 150 мА 80 МГц 100 мВт ESV для поверхностного монтажа
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product number2SK3762 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 10MA, 100MA
eccnEAR99
frequency - transition80MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-553
партномер8006484847
power - max100mW
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageESV
transistor typeNPN, PNP (Emitter Coupled)
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 10mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:57:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль