HN4B01JE(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN4B01JE(TE85L,F)
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN4B01JE(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Матрица биполярных (BJT) транзисторов NPN, PNP (эмиттерная пара) 50 В 150 мА 80 МГц 100 мВт ESV для поверхностного монтажа
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product number2SK3762 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 10MA, 100MA
eccnEAR99
frequency - transition80MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-553
партномер8018640868
power - max100mW
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageESV
transistor typeNPN, PNP (Emitter Coupled)
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 10mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:57:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль