HN4A51JTE85LF, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN4A51JTE85LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN4A51JTE85LF, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.014
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.014
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberRN2103 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 6V
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.700
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияDual
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.120 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-74A, SOT-753
партномер8006374469
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max300mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
rohs statusRoHS Compliant
серияHN4A51
supplier device packageSMV
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
transistor type2 PNP (Dual)
упаковка / блокSOT-25-5
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 1mA, 10mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)120V
Время загрузки23:57:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль