HN1C03FU-B(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN1C03FU-B(TE85L,F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN1C03FU-B(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.1200
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора300 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)25 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер42 mV
партномер8006373267
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)30 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияHN1C03
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковка / блокUS-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:50:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль