HN1C01FYTE85LF, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN1C01FYTE85LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN1C01FYTE85LF, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияDual
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.1 V
непрерывный коллекторный ток150 mA
партномер8004726761
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)80 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияHN1C01
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковка / блокSOT-26-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:50:13
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль