Name: HN1C01FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
Brand: Toshiba
SKU: HN1C01FU-Y,LF

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN1C01FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

Подробное описание

Бренд: Toshiba

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.0068
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba

Все характеристики

75 ₽

– +

Бонус: 1.5 !

Бонусная программа

Итого: 75 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.0068
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
base product number	RN1103 ->
current - collector cutoff (max)	100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	120 @ 2mA, 6V
eccn	EAR99
frequency - transition	80MHz
htsus	8541.21.0095
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
конфигурация	Dual
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 125 C
максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
минимальная рабочая температура	55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.1 V
operating temperature	125В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
партномер	8006374327
pd - рассеивание мощности	200 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	200mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	80 MHz
размер фабричной упаковки	3000
rohs status	RoHS non-compliant
серия	HN1C01
supplier device package	US6
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Toshiba
transistor type	2 NPN (Dual)
упаковка / блок	US-6
vce saturation (max) @ ib, ic	250mV @ 10mA, 100mA
вид монтажа	SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)	50V
Время загрузки	23:50:13

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Toshiba LF Транзисторы биполярные (BJTs)HN1C01FU-Y HN1C01