Name: HN1C01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Brand: Toshiba
SKU: HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN1C01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

Бренд: Toshiba

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.03
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba

Все характеристики

95 ₽

- +

Бонус: 1.9 !

Бонусная программа

Итого: 95 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.03
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
collector- base voltage vcbo	60 V
collector-emitter saturation voltage	0.1 V
collector- emitter voltage vceo max	50 V
configuration	Dual
continuous collector current	150 mA
dc collector/base gain hfe min	120
dc current gain hfe max	400
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	3000
gain bandwidth product ft	80 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
конфигурация	Dual
максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
manufacturer	Toshiba
maximum dc collector current	150 mA
mounting style	SMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.1 V
непрерывный коллекторный ток	150 mA
package / case	SOT-26-6
packaging	Cut Tape or Reel
партномер	8005268426
pd - power dissipation	300 mW
pd - рассеивание мощности	300 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
product category	Bipolar Transistors-BJT
product type	BJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	80 MHz
размер фабричной упаковки	3000
series	HN1C01
серия	HN1C01
subcategory	Transistors
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Toshiba
transistor polarity	NPN
упаковка / блок	SOT-26-6
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	23:50:17

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Toshiba Транзисторы биполярные (BJTs)F HN1C01 HN1C01F-GR(TE85L