HN1B04FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN1B04FU-Y,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN1B04FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT LF ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0068
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
75
+
Бонус: 1.5 !
Бонусная программа
Итого: 75
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0068
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 125 C
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V, - 50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.1 V
непрерывный коллекторный ток150 mA
партномер8005268423
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz, 120 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияHN1B04FU
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:50:17
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль