Name: HN1B04FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Brand: Toshiba
SKU: HN1B04FU-GR,LF

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN1B04FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

Бренд: Toshiba

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.0075
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba

Все характеристики

98 ₽

– +

Бонус: 1.96 !

Бонусная программа

Итого: 98 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.0075
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
collector- base voltage vcbo	60 V, -50 V
collector-emitter saturation voltage	100 mV, -100 mV
collector- emitter voltage vceo max	50 V, -50 V
configuration	Dual
dc collector/base gain hfe min	120 at 2 mA at 6 V, 120 at-2 mA at-6 V
dc current gain hfe max	400 at 2 mA at 6 V, 400 at-2 mA at-6 V
emitter- base voltage vebo	5 V, -5 V
gain bandwidth product ft	150 MHz, 120 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
конфигурация	Dual
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 125 C
максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
manufacturer	Toshiba
maximum dc collector current	150 mA, -150 mA
maximum operating temperature	+125 C
mounting style	SMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V, - 50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
package / case	SOT-363-6
packaging	Reel
партномер	8005268422
pd - power dissipation	200 mW
pd - рассеивание мощности	200 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN, PNP
product category	Bipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	150 MHz, 120 MHz
размер фабричной упаковки	3000
rohs	Details
серия	HN1B04
technology	Si
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Toshiba
transistor polarity	NPN, PNP
упаковка / блок	SOT-363-6
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	23:50:21

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Toshiba LF Транзисторы биполярные (BJTs)HN1B04 HN1B04FU-GR