Name: HN1B04FE-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Brand: Toshiba
SKU: HN1B04FE-Y,LF

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN1B04FE-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

87 ₽

– +

Бонус: 1.74 !

Бонусная программа

Итого: 87 ₽

Купить

Биполярный (BJT) транзисторный массив NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
base product number	TC74VHCT540 ->
current - collector cutoff (max)	100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	120 @ 2mA, 6V
eccn	EAR99
frequency - transition	80MHz
htsus	8541.21.0095
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	SOT-563, SOT-666
партномер	8006257643
power - max	100mW
rohs status	RoHS Compliant
supplier device package	ES6
transistor type	NPN, PNP
vce saturation (max) @ ib, ic	250mV @ 10mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)	50V
Время загрузки	23:50:21

Отзывов нет

Кнопки

Теги: