HN1B04FE-GR,LF, 100nA 50V 100mW 200@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA 1PCSNPN&1PCSPNP +150°C@(Tj) SOT-666-6 BIpolar TransIstors - BJT ROH

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN1B04FE-GR,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN1B04FE-GR,LF, 100nA 50V 100mW 200@2mA,6V ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
76
+
Бонус: 1.52 !
Бонусная программа
Итого: 76
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
collector-emitter breakdown voltage50V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
maximum dc collector current150mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V, - 50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
партномер8017601895
pd - power dissipation100mW
pd - рассеивание мощности100 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)80 MHz, 80 MHz
размер фабричной упаковки4000
серияHN1B04
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
transistor typeNPN,PNP
упаковка / блокSOT-563-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:50:23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль