HN1A01FE-Y,LF, 100nA 50V 100mW 120@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA 2PCSPNP +150°C@(Tj) SOT-666-6 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN1A01FE-Y,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN1A01FE-Y,LF, 100nA 50V 100mW 120@2mA,6V ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
39
+
Бонус: 0.78 !
Бонусная программа
Итого: 39
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
collector-emitter breakdown voltage50V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current150mA
партномер8017601878
pd - power dissipation100mW
transistor type2 PNPпј€Doubleпј‰
Время загрузки23:49:56
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль