DTA123EET1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DTA123EET1G
Электронные компоненты Транзисторы Транзисторы цифровые (BRTs) ON Semiconductor DTA123EET1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
57
+
Бонус: 1.14 !
Бонусная программа
Итого: 57
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.8
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8005547329
pd - рассеивание мощности200 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки3000
серияDTA123EE
типичное входное сопротивление2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSC-75-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки21:01:33
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль