DDTC115TE-7-F, Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 150mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DDTC115TE-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Транзисторы цифровые (BRTs) Diodes DDTC115TE-7-F, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
continuous collector current:0.1 A
dc collector/base gain hfe min:100
dc current gain hfe max:600
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-523-3
партномер8020336516
pd - power dissipation:150 mW
peak dc collector current:100 mA
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
series:DDTC115
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
type:NPN Small Signal Surface Mount Transistor
typical input resistor:100 kOhms
Время загрузки21:08:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль