2SD1223(TE16L1,NQ), Bipolar Transistors - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SD1223(TE16L1,NQ)
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SD1223(TE16L1,NQ), Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.36
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTAutomotive SolutionsToshiba Automotive Solutions offers various automotive semiconductor devices designed to improve driving safety. This includes advanced driver assistance systems (ADAS) using an image recognition processor. Toshiba provides leading-edge semiconductor technologies from a future perspective to deliver comprehensive driver assistance solutions. These solutions include self-driving that emulate human eyes and other intricate human senses.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.36
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:1.5 V
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:4 A
dc collector/base gain hfe min:2000
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Toshiba
maximum dc collector current:4 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:TO-252-3
packaging:Reel, Cut Tape
партномер8006218183
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2SD1223
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки23:49:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль