2SC6100,LF, Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR50V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC6100,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SC6100,LF, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTBipolar TransistorsToshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberRN1101 ->
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:140 mV
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2.5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce400 @ 300mA, 2V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Toshiba
maximum dc collector current:2.5 A
maximum operating temperature:+150 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case3-SMD, Flat Lead
партномер8005268135
pd - power dissipation:800 mW
power - max500mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
rohs statusRoHS non-compliant
subcategory:Transistors
supplier device packageUFM
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic140mV @ 20mA, 1A
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:49:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль