2SC6026MFVGR,L3F, 50V 150mW 200@2mA,6V 150mA NPN SOT-723 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC6026MFVGR,L3F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SC6026MFVGR,L3F, 50V 150mW 200@2mA,6V 150mA ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
19
+
Бонус: 0.38 !
Бонусная программа
Итого: 19
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT VESM PLN
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
automotiveNo
base product number2SA1761 ->
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 6V
длина1.2 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition60MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
квалификацияAEC-Q101
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
materialSi
maximum collector base voltage (v)60
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@10mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum dc collector current (a)0.15
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)150
maximum transition frequency (mhz)60(Min)
minimum dc current gain120@2mA@6V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.15 V
непрерывный коллекторный ток150 mA
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-723
packagingTape and Reel
партномер8020267256
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности150 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max150mW
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)60 MHz
размер фабричной упаковки8000
rohs statusRoHS Compliant
серия2SC6026
supplier device packageVESM
supplier packageVESM
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-723-3
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 10mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:49:35
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль