Name: 2SC3325-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Brand: Toshiba
SKU: 2SC3325-Y,LF

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SC3325-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

95 ₽

– +

Бонус: 1.9 !

Бонусная программа

Итого: 95 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
collector- base voltage vcbo:	50 V
collector-emitter breakdown voltage	50V
collector-emitter saturation voltage:	100 mV
collector- emitter voltage vceo max:	50 V
configuration:	Single
dc collector/base gain hfe min:	70 at 100 mA, 1 V
dc current gain hfe max:	240 at 100 mA, 1 V
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	300 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Toshiba
maximum dc collector current	500mA
maximum dc collector current:	500 mA
maximum operating temperature:	+150 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	TO-236-3
партномер	8005509451
pd - power dissipation	200mW
pd - power dissipation:	200 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
qualification:	AEC-Q101
series:	2SC3325
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
transistor type	NPN
Время загрузки	23:48:44

Отзывов нет

Кнопки

Теги: