2SC2713-GRTE85LF, Bipolar Transistors - BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:2SC2713-GRTE85LF
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans
Дата загрузки
12.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.012
Информация о производителе
Производитель
Toshiba
Бренд
Toshiba
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
700
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 125 C
максимальный постоянный ток коллектора
100 mA
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
120 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
непрерывный коллекторный ток
100 mA
партномер
8006355139
pd - рассеивание мощности
150 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
100 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
2SC2713
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Toshiba
упаковка / блок
SOT-346-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
23:48:54
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26