Name: 2SA1832-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Brand: Toshiba
SKU: 2SA1832-Y,LF

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SA1832-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

60 ₽

– +

Бонус: 1.2 !

Бонусная программа

Итого: 60 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
collector- base voltage vcbo:	-50 V
collector-emitter saturation voltage:	-100 mV
collector- emitter voltage vceo max:	-50 V
configuration:	Single
dc collector/base gain hfe min:	70 at-2 mA, -6 V
dc current gain hfe max:	400 at-2 mA, -6 V
emitter- base voltage vebo:	-5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	80 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Toshiba
maximum dc collector current:	-150 mA
maximum operating temperature:	+125 C
mounting style:	SMD/SMT
package/case:	SOT-426-3
партномер	8004726719
pd - power dissipation:	100 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
qualification:	AEC-Q101
series:	2SA1832
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	23:57:09

Отзывов нет

Кнопки

Теги: