Name: 2SA1312-BL(TE85L.F)
Brand: Toshiba

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SA1312-BL(TE85L.F)

Подробное описание

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

ЭлектроэлементBipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount S-Mini

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.019
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
current - collector cutoff (max)	100nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)	100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	350 @ 2mA, 6V
frequency - transition	100MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
mounting type	Surface Mount
operating temperature	125В°C(TJ)
package / case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packaging	Cut Tape(CT)
партномер	8002008712
part status	Active
power - max	150mW
series	-
supplier device package	S-Mini
transistor type	PNP
vce saturation (max) @ ib, ic	300mV @ 1mA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)	120V
Время загрузки	23:47:04

Отзывов нет

Кнопки

Теги: