2SA1162-O,LF, Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SA1162-O,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SA1162-O,LF, Bipolar Transistors - BJT Bias ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.012
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
51
+
Бонус: 1.02 !
Бонусная программа
Итого: 51
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.012
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
квалификацияAEC-Q101
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток150 mA
партномер8006375694
pd - рассеивание мощности150 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)80 MHz
размер фабричной упаковки3000
серия2SA1162
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковка / блокTO-236MOD-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:47:42
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль