ZXMN3F30FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 3,7А, 0,95Вт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXMN3F30FHTA
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 30 В 3,8 A (Ta) 950 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
85
+
Бонус: 1.7 !
Бонусная программа
Итого: 85
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 30 В 3,8 A (Ta) 950 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-23-3
pin count3
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed3
ppapNo
standard package nameSOT-23
supplier packageSOT-23
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)1400
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
process technologyTMOS
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)3.8
maximum drain source resistance (mohm)47 10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)9.3
typical gate charge @ 10v (nc)7.7
typical gate charge @ vgs (nc)7.7 10V
typical input capacitance @ vds (pf)318 15V
typical rise time (ns)2.6
typical turn-off delay time (ns)17
typical turn-on delay time (ns)1.6
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.8A (Ta)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs7.7nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds318pF @ 15V
power dissipation (max)950mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs47mOhm @ 3.2A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id3V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль