ZXM62P03E6TA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -1,5А, 0,625Вт, SOT26
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXM62P03E6TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMDМОП-транзистор 30V P-Chnl HDMOS
| Основные | |
| вес, г | 0.1 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| упаковка / блок | SOT-26-6 |
| серия | ZXM62P0 |
| длина | 3.1 mm |
| время нарастания | 6.4 ns |
| время спада | 10.3 ns |
| pin count | 6 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Small Signal |
| pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Gull-wing |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 6 |
| ppap | No |
| standard package name | SOT-23 |
| supplier package | SOT-23 |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 806 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single Quad Drain |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single Quad Drain |
| channel type | P |
| id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| qg - заряд затвора | 10.2 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 1.1 S |
| полярность транзистора | P-Channel |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| типичное время задержки выключения | 13.9 ns |
| типичное время задержки при включении | 2.8 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 1.5 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 150 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 30 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| typical fall time (ns) | 10.3 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 10.2 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 10.2 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 330 25V |
| typical rise time (ns) | 6.4 |
| typical turn-off delay time (ns) | 13.9 |
| typical turn-on delay time (ns) | 2.8 |
| Высота | 1.3 мм |
| Тип | MOSFET |
| Ширина | 1.8 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![КТ3107А, Биполярный транзистор, PNP, -45В, -0.1А, 0.3Вт, 250МГц, h21e=70…140 [КТ-26 / TO-92]](/wa-data/public/shop/products/64/71/27164/images/37652/37652.300x0.jpg "КТ3107А, Биполярный транзистор, PNP, -45В, -0.1А, 0.3Вт, 250МГц, h21e=70…140 [КТ-26 / TO-92]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
